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Oxide Anneal
300SE: For Pad Oxide ，TOSZ (or FCVD) Anneal, USG Densification, Cu Anneal, Pi Bake ,125 wafers，16 FOUP buffer stage 300SP: For HV Gate Oxide, Pad Oxide, TOSZ Anneal, Mold Anneal，Cu Anneal, H2 Alloy, Pi Bake ,150 wafers，22 FOUP buffer stage
Oxide Anneal (300SE)
- 適用于Pad Oxide (墊氧化層)和TOSZ (or FCVD) Anneal（TOSZ or FCVD 退火）,
USG Densification（USG 致密化）, Cu Anneal（Cu 退火）, Pi Bake（Pi 烘烤）
- Specification（特點(diǎn)）
- 125 product wafers（125 PCS 晶圓）
- 16 FOUP buffer stage
Oxide Anneal (300SP)
適用于HV Gate Oxide（HV 閘氧化層）, Pad Oxide（墊氧化層）和TOSZ
Anneal, Mold Anneal（TOSZ 退火，模具退火），Cu Anneal, H2 Alloy,
Pi Bake（Cu 退火，H2 合金，Pi 烘烤）
Specification（特點(diǎn)）
- 150 product wafers（150 PCS 晶圓）
- 22 FOUP buffer stage
